Samsung
Интерфейс:
SATA 3.0
Объём:
3.84 ТБ
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
2.5
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
2 000 000ч
Скорость последовательного чтения:
560Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
530Мбайт/с
Толщина:
7мм
Вариант поставки:
OEM
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
98 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
31 000IOps
Дата выхода на рынок:
2020г.
Интерфейс:
U.2
Объём:
3.84 ТБ
Форм-фактор:
2.5
Адаптер 3.5":
нет
Скорость последовательного чтения:
6 900Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
4 100Мбайт/с
Вариант поставки:
OEM
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
1 000 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
180 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
3.5Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
13.5Вт
Совместимость с PS5:
нет
Дата выхода на рынок:
2023г.
Комплект поставки:
ПО Samsung Magician для управления SSD
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0)
Контроллер:
Samsung Pascal
Объём:
4 ТБ
Ресурс записи:
2400TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
7 450Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
6 900Мбайт/с
Толщина:
2.3мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера:
4096МБ (Low Power DDR4)
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
1 600 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
1 550 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.055Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
8.6Вт
Размеры устройств M.2:
2280
Совместимость с PS5:
есть
Дата выхода на рынок:
2021г.
Интерфейс:
SATA 3.0
Контроллер:
Samsung MKX
Объём:
4 ТБ
Ресурс записи:
2400TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
2.5
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
560Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
530Мбайт/с
Толщина:
6.8мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера:
4096МБ
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
98 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
88 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.035Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
5Вт (макс.)
Дата выхода на рынок:
2020г.
Комплект поставки:
отдельный накопитель в картонной коробке
Интерфейс:
SATA 3.0
Контроллер:
Samsung MKX
Объём:
2 ТБ
Ресурс записи:
720TBW
Тип микросхем Flash:
3D QLC NAND
Форм-фактор:
2.5
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
560Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
530Мбайт/с
Толщина:
6.8мм
Кэш:
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера:
2048МБ
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
98 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
88 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.004Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
3Вт
Дата выхода на рынок:
2024г.
Интерфейс:
PCI Express 5.0 x2 (NVMe 2.0)
Контроллер:
Samsung Piccolo
Объём:
2 ТБ
Ресурс записи:
1200TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
5 000Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
4 200Мбайт/с
Толщина:
2.38мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
нет
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
700 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
800 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.06Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
5.5Вт
Размеры устройств M.2:
2280
Дата выхода на рынок:
2024г.
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0)
Объём:
2 ТБ
Ресурс записи:
1200TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
7 250Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
6 300Мбайт/с
Толщина:
2.38мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
нет
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
1 000 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
1 350 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.6Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
4.6Вт
Размеры устройств M.2:
2280
Совместимость с PS5:
есть
Дата выхода на рынок:
2023г.
Комплект поставки:
ПО Samsung Magician для управления SSD
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0)
Объём:
1 ТБ
Ресурс записи:
600TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
7 450Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
6 900Мбайт/с
Толщина:
8.2мм (с радиатором)
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера:
1024МБ
Охлаждение:
есть
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
1 200 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
1 550 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.05Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
5.4Вт (режим Burst 7.8 Вт)
Размеры устройств M.2:
2280
Совместимость с PS5:
есть
Дата выхода на рынок:
2023г.
Комплект поставки:
ПО Samsung Magician для управления SSD
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0)
Контроллер:
Samsung Pascal
Объём:
1 ТБ
Ресурс записи:
600TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
7 450Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
6 900Мбайт/с
Толщина:
2.3мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера:
1024МБ
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
1 200 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
1 550 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.05Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
5.4Вт (режим Burst 7.8 Вт)
Размеры устройств M.2:
2280
Совместимость с PS5:
есть
Дата выхода на рынок:
2021г.
Интерфейс:
SATA 3.0
Контроллер:
Samsung MKX
Объём:
1 ТБ
Ресурс записи:
600TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
2.5
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
560Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
530Мбайт/с
Толщина:
6.8мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
DRAM-буфер
Объем DRAM-буфера:
1024МБ
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
98 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
88 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.03Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
2.5Вт
Дата выхода на рынок:
2024г.
Интерфейс:
PCI Express 4.0 x4 (NVMe 2.0)
Объём:
1 ТБ
Ресурс записи:
600TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
7 150Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
6 300Мбайт/с
Толщина:
2.38мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
нет
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
850 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
1 350 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.6Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
4.3Вт
Размеры устройств M.2:
2280
Совместимость с PS5:
есть
Дата выхода на рынок:
2021г.
Интерфейс:
PCI Express 3.0 x4 (NVMe 1.4)
Контроллер:
Samsung Pablo
Объём:
1 ТБ
Ресурс записи:
600TBW
Тип микросхем Flash:
3D TLC NAND
Форм-фактор:
.2
Адаптер 3.5":
нет
Аппаратное шифрование:
AES 256bit
Время наработки на отказ (МТBF):
1 500 000ч
Скорость последовательного чтения:
3 500Мбайт/с
Скорость последовательной записи:
3 000Мбайт/с
Толщина:
2.38мм
Вариант поставки:
розничная
Кэш:
нет
Охлаждение:
нет
Подсветка:
нет
Средняя скорость случайного чтения:
500 000IOps
Средняя скорость случайной записи:
480 000IOps
Энергопотребление (ожидание):
0.045Вт
Энергопотребление (чтение/запись):
5.3Вт
Размеры устройств M.2:
2280
Совместимость с PS5:
нет
111